- 2020-7-15
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- 5G, 5G基地局, GaN, GaN増幅器モジュール, 三菱電機, 基地局, 増幅器, 整合回路, 第5世代移動通信システム, 電磁界解析, 高密度実装技術
三菱電機は2020年7月14日、5G（第5世代移動通信システム）基地局向けに小型かつ高効率なGaN増幅器モジュールを開発したと発表した。5G基地局の小型化や設置性の向上、低消費電力化に寄与することが期待される。
同モジュールには、コンデンサーインダクタなどのチップ部品を用いた整合回路が搭載されたほか、電磁界解析手法に基づいたチップ間の干渉を低減する同社独自の高密度実装技術が採用された。従来の整合回路に金属箔の線路を用いるモジュールと比べて小型化が可能となっており、パッケージサイズは同社従来品の4G基地局用増幅器と比較すると90分の1の6×10mmとなった。
また、高効率のGaNトランジスタを採用したほか、チップ部品を最少化する独自整合回路技術により電力損失を抑制し、電力効率43％以上を達成した。同社発表によると世界最高レベルだという。
同社は今後、出力電力や周波数などが異なる5G基地局用GaN増幅器モジュールにも今回開発した技術を適用すべく、さらなる研究開発を進める。
