パナソニック、PCIM 2016でGaN/SiCパワーデバイス関連製品の出展を予定

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パナソニックは2016年4月14日、5月10日~12日までドイツのニュルンベルクで開催予定のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2016」に、GaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展すると発表した。

GaNはノーマリオフ(電圧を加えなければ電流が流れない特性)や、電流コラプスフリー(高電圧をかけた時に電流の流れる経路近くに電子が捕獲され抵抗が上がる電流コラプスという現象を抑制する特性)を備え、サーバーなどのインバータや電源の安全性確保と連続安定動作に貢献するパワーデバイス。高速動作と高温での動作特性が良いという特長も持ち、高速動作による電力変換の効率向上と小型化を可能にするという。

一方、 SiCはパナソニック独自のDioMOS(Diode-integrated MOSFET)構造により、電源やインバータに必要な還流ダイオードの機能をトランジスタに付加することで、SiC搭載モジュールを小型化できるパワーデバイスだ。

PCIM 2016のパナソニックブース内では、GaN/SiCの次世代パワーデバイスを応用したソリューションを産業分野向けに提案する予定。これまで培ってきた要素技術をコアに、デバイス単品から、サブシステム、ソリューションまで、機器の小型化、高効率化、熱対策など省エネルギーへの貢献を紹介するという。

ブース内では他にも、GaN/SiCパワーデバイスを応用したソリューションに欠かせない受動部品として、導電性高分子コンデンサやフィルムコンデンサをはじめに、電流検出抵抗器(シャント抵抗器)やパワーインダクタを展示する。また、熱対策ソリューションとして、PGSグラファイトシートを出展するとしている。

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