東芝メモリ、世界初となるTSV技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発

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東芝メモリは2017年7月11日、TSV技術を用いた3ビット/セルの3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を開発し、同年6月から開発用試作品の提供を開始したと発表した。同社によると、TSV技術を用いた3次元フラッシュメモリーの開発は世界初だという。

TSV(Through Silicon Via)技術は、複数のチップ内部を垂直に貫通する電極を用いることで、データ入出力の高速化および低消費電力化が可能になる技術だ。同社ではすでに2次元のNAND型フラッシュメモリーへの適用実績は有していた。

今回は、48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリーに適用することで、書き込みバンド幅の向上および消費電力の低減に成功。同社のワイヤボンディング方式の製品との比較で電力効率を約2倍に向上させた。また、512ギガビットのチップを1パッケージ内に16段積層することにより、総容量を1テラバイトまで増やすことに成功した。

今回は、積層数8で記憶容量512ギガバイトのタイプと、積層数16、記憶容量1テラバイトの2タイプを試作している。製品サンプル出荷は2017年中の予定だ。

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