タグ：東芝メモリ
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東芝メモリ、世界初となるTSV技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発
東芝メモリは2017年7月11日、TSV技術を用いた3ビット／セルの3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を開発し、同年6月から開発用試作品の提供を開始したと発表した。同社によると、TSV技術を用いた3次元フラ…詳細を見る-
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東芝メモリ、4ビット／セル技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発
東芝メモリは2017年6月28日、世界で初めて（同社調べ）4ビット／セル（QLC）技術を用いた3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を試作し、基本動作および基本性能を確認したと発表した。 QLCは従来の3…詳細を見る-
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