タグ:3次元フラッシュメモリ
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東芝メモリ、世界初となるTSV技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発
東芝メモリは2017年7月11日、TSV技術を用いた3ビット/セルの3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を開発し、同年6月から開発用試作品の提供を開始したと発表した。同社によると、TSV技術を用いた3次元フラ…詳細を見る -
東芝、64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリーをサンプル出荷開始
東芝は2016年7月27日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、サンプル出荷を順次開始すると発表した。 BiCS FLASHは、従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並…詳細を見る