小型で電力損失を抑えた高効率の20V耐圧Nch MOSFETを開発 ローム

ロームは2022年11月10日、ウェアラブル機器や小型/薄型機器のスイッチングに最適な小型かつ高効率の20V耐圧Nch MOSFET「RA1C030LD」を開発し、2022年11月より量産を開始したと発表した。RA1C030LDは小型化しながら電力損失を抑えている。サンプル価格100円/個(税抜き)。

RA1C030LDは、小型で低電力損失のMOSFETで、同社独自のICプロセスを応用したウエハレベルチップサイズパッケージ「DSN1006-3」(1.0×0.6mm)を採用している。

導通損失とスイッチング損失の関係を表す指標(オン抵抗×Qgd)を、同パッケージの一般品と比べ、業界トップクラスの値(1.0×0.6mm以下のパッケージでの比較)となる最大約20%向上している。各種小型機器の基板上の部品面積を削減し、高効率化する。

また、独自のパッケージ構造を採用し、側壁の絶縁保護をしている(同パッケージの一般品は絶縁保護なし)。スペースの制約で部品の高密度実装が必要になる小型機器で、部品同士の接触による短絡(ショート)リスクを下げる。

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