タグ：グラフェンデバイス
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二次元材料中の電荷移動をコントロールする新手法
米セントルイス・ワシントン大学は、2021年1月14日、原子レベルの薄さのグラフェンデバイスに塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層を重ね、局所的に電荷を加える方法を発見したと発表した。これは二次元材料中の電荷移動を制御…詳細を見る -
グラフェンの隠れた性質を引き出す――3つの電気特性を持つデバイス開発に成功
米エネルギー省ローレンス・バークレー国立研究所を中心とする研究チームは、超電導体、絶縁体、強磁性体という3つの特性を持つグラフェンデバイスを開発した。このデバイスは、量子コンピュータなど次世代高速電子機器で使われる電子回…詳細を見る
