塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層

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  • 2021-2-26
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Erik Henriksen, Nano Letters, α-RuCl3, グラフェンデバイス, セントルイス・ワシントン大学, ファンデルワールスヘテロ構造, 二セレン化タングステン（WSe2）, 塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層, 学術, 硫化ユウロピウム（EuS）

  二次元材料中の電荷移動をコントロールする新手法

  米セントルイス・ワシントン大学は、2021年1月14日、原子レベルの薄さのグラフェンデバイスに塩化ルテニウム（α-RuCl3）薄膜層を重ね、局所的に電荷を加える方法を発見したと発表した。これは二次元材料中の電荷移動を制御…

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