タグ：ショットキーバリアダイオード（SBD）
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SBD内蔵SiC MOSFETモジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失が大きく低減 三菱電機
三菱電機は2023年5月8日、大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、ショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載したSiC MOSFETモジュール「FMF800DC-66BEW」のサンプル提供…詳細を見る-
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マイクロ波を電気に変換する高感度ダイオードを開発――無電源でのインフラモニタリングが可能に
科学技術振興機構と富士通、首都大学東京の共同研究チームが、ナノワイヤ形状のバックワードダイオードを用い、微弱な電波を電気に変換できる、高感度な整流素子を開発した。5G通信時代の到来により豊富に存在することになる微弱電波を…詳細を見る-
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2次元結晶スイッチング素子の高性能化を促進する新理論を発見
シンガポール工科デザイン大学（SUTD）の研究チームが、2次元結晶を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）における、電流と温度の関係を決定する普遍的スケーリング則（Universal Scaling Law）を解明…詳細を見る-
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