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タグ：インダクティブピーキング手法

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  • 2020-12-21
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • CMOS製造プロセス, CORNERSTONE研究用ファンドリー, Graham Reed, Mountbattenクリーンルーム, Optica, Tコイル, インダクティブピーキング手法, オプトエレクトロニクス研究センター, サウサンプトン大学, シリコン, シリコン光変調素子, ニオブ酸リチウム, フォトニックデバイス, 光信号送信デバイス, 学術

  CMOS製造プロセスに適合する全シリコン製光信号送信デバイスを開発――100Gbpsのデータレートを達成

  英国サウサンプトン大学の研究チームが、100Gbpsで動作する全シリコン製の光信号送信デバイスの開発に成功した。CMOS製造プロセスに適合しないニオブ酸リチウムなどを使用せず、シリコン光変調素子を新しい回路設計に基づいた…

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