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CMOS製造プロセスに適合する全シリコン製光信号送信デバイスを開発――100Gbpsのデータレートを達成
英国サウサンプトン大学の研究チームが、100Gbpsで動作する全シリコン製の光信号送信デバイスの開発に成功した。CMOS製造プロセスに適合しないニオブ酸リチウムなどを使用せず、シリコン光変調素子を新しい回路設計に基づいた…詳細を見る -
イオン注入とアニール処理で、消去可能なシリコンフォトニクスデバイスを開発
イギリスのサウサンプトン大学の研究チームは、シリコンフォトニクスチップ上にプログラマブルな集積化スイッチングユニットを作成する技術を開発した。コストと消費電力の削減が可能で、通信システム、センシング、コンピューティングア…詳細を見る