タグ：フォトニックデバイス
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CMOS製造プロセスに適合する全シリコン製光信号送信デバイスを開発――100Gbpsのデータレートを達成
英国サウサンプトン大学の研究チームが、100Gbpsで動作する全シリコン製の光信号送信デバイスの開発に成功した。CMOS製造プロセスに適合しないニオブ酸リチウムなどを使用せず、シリコン光変調素子を新しい回路設計に基づいた…詳細を見る-
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1μmサイズでGHz級の高速変調が可能な電気光学変調器を開発
米ジョージ・ワシントン大学の研究チームは、高速で動作する小型の電気光学（EO）変調器を開発した。シリコンベースのフォトニック導波路に薄いITO（酸化インジウムスズ）を追加することで、1μmサイズのデバイスでGHz級の高速…詳細を見る-
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