タグ：エピタキシャル基板
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QST基板上でのGaN剥離、異種材料基板への接合技術を開発――縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与 OKIと信越化学工業
OKIと信越化学工業は2023年9月5日、QST基板からGaN機能層のみを剥離し、異種材料基板に接合する技術を開発したと発表した。GaNの縦型導電が可能となるため、大電流を制御できる縦型GaNパワーデバイスの実現に寄与す…詳細を見る-
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高ボロン濃度エピタキシャル成長基板を開発――低抵抗ダイヤモンド基板を製品化 イーディーピー
イーディーピーは2023年8月10日、高ボロン濃度のダイヤモンドを成長する技術を開発し、このダイヤモンドで製造した低抵抗基板を2種類発表した。開発した高ボロン濃度ダイヤモンドは、縦型構造のパワーデバイス開発に適した低い抵…詳細を見る-
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