同時横方向エピタキシャル成長法に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：同時横方向エピタキシャル成長法

• 
  • 2023-9-29
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • 3C-SiC, 4H-SiC, CHESS-MOSR, CUSIC, SiC, SiCパワー半導体, SLE法, ハイブリッド構造基板, 同時横方向エピタキシャル成長法, 東北大学, 東北大学未来科学技術共同研究センター, 東北大学電気通信研究所, 研究

  同時横方向エピタキシャル成長法で3C-SiCと4H-SiCを積層させた、ハイブリッド構造基板を製作　東北大とCUSIC

  東北大学電気通信研究所と同大学未来科学技術共同研究センターは2023年9月28日、CUSICと共同で、世界で初めて、同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）を用いて、3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構…

  詳細を見る

  • Tweet
  -
  •