タグ：3C-SiC
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同時横方向エピタキシャル成長法で3C-SiCと4H-SiCを積層させた、ハイブリッド構造基板を製作 東北大とCUSIC
東北大学電気通信研究所と同大学未来科学技術共同研究センターは2023年9月28日、CUSICと共同で、世界で初めて、同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）を用いて、3C-SiCと4H-SiCを積層させたハイブリッド構…詳細を見る-
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半導体材料3C-SiCの高い熱伝導率を初めて実証 大阪公立大など研究グループ
大阪公立大学と米イリノイ大学、東北大学、エア・ウォーターなどの研究グループは2022年12月15日、エア・ウォーターが開発した半導体材料3C-SiCが理論値に相当する高い熱伝導率を示すことを、熱伝導率の評価と原子レベルの…詳細を見る-
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