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タグ：次世代磁気ランダムアクセスメモリ

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  • 2021-1-28
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • Advanced Quantum Technologies, Inter University Accelerator Center, MRAM, Nanyang Technological University, スピンホール効果, スピンホール性能, スピン軌道トルク, 九州工業大学, 人工知能デバイス, 山口大学, 次世代磁気ランダムアクセスメモリ, 研究

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