タグ：窒化ガリウム半導体
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非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出――産総研と名古屋大が技術開発
産業技術総合研究所は2018年5月22日、名古屋大学と共同で、ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発したと発表した。欠陥の分布や方向を非破壊で特定することができ、GaN半導体単結…詳細を見る-
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窒化ガリウム（GaN）ウエハー全面の「ゆがみ」をすばやく詳細に可視化――NIMSが新手法を開発
物質・材料研究機構（NIMS）は2018年5月16日、窒化ガリウム（GaN）半導体の直径2インチウエハー結晶面の「ゆがみ」を、ウエハー全面を一度に、しかも数10μmの空間分解能で可視化する新たな評価手法を開発したと発表し…詳細を見る-
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産総研と東芝デバイス＆ストレージ、結晶の透過電子顕微鏡画像から欠陥を検出できる画像処理技術を開発
産業技術総合研究所（産総研）は2017年9月21日、東芝デバイス＆ストレージと共同で、結晶の透過電子顕微鏡画像から欠陥を検出できる画像処理技術を開発したと発表した。広範囲の透過電子顕微鏡画像から転位分布を評価でき、半導体…詳細を見る-
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