電界効果トランジスタ（FET）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：電界効果トランジスタ（FET）

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  • 2023-5-15
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • IoE（Internet of Everything）, TMDC, TMDCナノリボン, ウェアラブルセンサー, ナノリボン, 化学気相成長法, 半導体材料, 原子層半導体, 岡山大学, 発光素子, 発電素子, 研究, 遷移金属ダイカルコゲナイド, 酸化タングステンナノワイヤ, 酸化タングステン（WxOy）, 電界効果トランジスタ（FET）

  原子層半導体の一次元構造化に成功　岡山大学などの研究グループ

  岡山大学は2023年5月12日、同大学大学院などの研究グループが酸化タングステンナノワイヤの成長を介した新しい化学気相成長法を用いて、原子レベルに薄い半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の「ナノリボン」と呼…

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