電界効果型高耐圧トランジスターに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：電界効果型高耐圧トランジスター

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  • 2019-1-14
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • GaN, Journal of Applied Physics, SiC, Stephen Pearton, コーネル大学, ショットキーバリアダイオード, フロリダ大学, 京都大学, 学術, 海軍研究所, 酸化ガリウム（Ga2O3）, 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）, 電界効果型高耐圧トランジスター, 高麗大学

  超ワイドバンドギャップを持つ酸化ガリウムの可能性――大電力高温用半導体への応用も

  酸化ガリウムで次世代パワー半導体超えのバンドギャップへ アメリカのフロリダ大学および海軍研究所、韓国の高麗大学の共同研究チームが、超ワイドバンドギャップを持つ半導体、酸化ガリウム（Ga2O3）の将来的な可能性について、…

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