タグ：ショットキーバリアダイオード
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酸化ガリウムSBDの実機動作を確認 ノベルクリスタルテクノロジーが国内初
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「戦略的省エネルギー技術革新プログラム」の一環として、酸化ガリウム（β-Ga2O3）ショットキーバリアダイオード（SBD）の製品化に取り組むノベルクリスタル…詳細を見る-
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小型SBDを25％高効率化、ラインアップを拡充 ローム
ロームは2021年8月5日、高効率で小型のショットキーバリアダイオード（SBD）「RBRシリーズ」12製品と「RBQシリーズ」12製品を開発し、ラインアップを全178製品に拡充したと発表した。両シリーズは、新規プロセスの…詳細を見る-
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世界最小サイズのSiCショットキーバリアダイオードのサンプル提供を開始――低損失で高速なスイッチング動作に対応 新日本無線
新日本無線は2021年3月31日、世界最小サイズと高放熱を両立した650V／10Aのシリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード 「NJDCD010A065AA3PS」のサンプル提供を開始したと発表した。量産は202…詳細を見る-
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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SiC MOSFETの信頼性を10倍向上させるデバイス構造を開発――MOSFETの内部にSBDを搭載 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したと発表した。MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造が特徴で、オン抵抗の上昇を…詳細を見る-
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超ワイドバンドギャップを持つ酸化ガリウムの可能性――大電力高温用半導体への応用も
酸化ガリウムで次世代パワー半導体超えのバンドギャップへ アメリカのフロリダ大学および海軍研究所、韓国の高麗大学の共同研究チームが、超ワイドバンドギャップを持つ半導体、酸化ガリウム（Ga2O3）の将来的な可能性について、…詳細を見る-
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東芝デバイス、小型／高放熱パッケージ採用のショットキーバリアダイオードを発売
東芝デバイス＆ストレージは2018年7月10日、電源回路の整流や逆流防止用途などに適したショットキーバリアダイオード「CUHS10F60」の量産出荷を開始すると発表した。 ショットキーバリアダイオードは、金属と半導…詳細を見る-
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産総研など、1200V耐圧クラスでも高性能を示すSBD内蔵SiCトランジスタを開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、富士電機と共同で1200Vクラスでも高効率と高信頼性を両立するショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiCトランジスタを開発したと発表した。 電力の変換や制御を担うパ…詳細を見る-
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