CMOS製造バックエンド配線形成工程（BEOL）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：CMOS製造バックエンド配線形成工程（BEOL）

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  • 2023-6-15
  • 化学・素材系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • 2D薄膜, AIアプリケーション, ChatGPT, CMOSウェハー, CMOS製造バックエンド配線形成工程（BEOL）, MIT, MOCVDプロセス, Nature Nanotechnology, シリコンウェハー, トランジスタ, 二硫化モリブデン, 低温積層技術, 学術, 有機金属気相成長法, 自動会話プログラム, 遷移金属ジカルコゲナイド

  コンピューターチップの高密度高性能化も――MIT、シリコンウェハー上に2D薄膜トランジスタを直接成長させることに成功

  マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究チームが、二硫化モリブデン（MoS2）の2D薄膜を、8インチCMOSウェハー上に直接成長させることができる低温積層技術を開発した。有機金属気相成長法（MOCVD）プロセスの反応炉に…

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