タグ：遷移金属ジカルコゲナイド
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コンピューターチップの高密度高性能化も――MIT、シリコンウェハー上に2D薄膜トランジスタを直接成長させることに成功
マサチューセッツ工科大学（MIT）の研究チームが、二硫化モリブデン（MoS2）の2D薄膜を、8インチCMOSウェハー上に直接成長させることができる低温積層技術を開発した。有機金属気相成長法（MOCVD）プロセスの反応炉に…詳細を見る-
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準2D構造を持つ透明な金属薄膜の生成に成功――新たな光電子デバイスにも期待
モスクワ物理工科大学MIPTの研究チームが、層状の結晶構造を持たない金属である金（Au）に対して、二硫化モリブデン（MoS2）の単原子層を接着層として用いることで、厚さ数原子という準2D構造を持つ連続的薄膜を生成すること…詳細を見る-
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