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コンピューターチップの高密度高性能化も――MIT、シリコンウェハー上に2D薄膜トランジスタを直接成長させることに成功
マサチューセッツ工科大学(MIT)の研究チームが、二硫化モリブデン(MoS2)の2D薄膜を、8インチCMOSウェハー上に直接成長させることができる低温積層技術を開発した。有機金属気相成長法(MOCVD)プロセスの反応炉に…詳細を見る
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