ターンオン損失を67％削減したSiCダイオード内蔵IGBT「RGWxx65Cシリーズ」を開発ローム

ロームは2021年7月8日、大電力を扱う車載電装機器や産業機器に向けて、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠した650V耐圧のSiCショットキーバリアダイオード内蔵IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65Cシリーズ」を開発したと発表した。従来品のIGBTからON時のスイッチング損失（以下、ターンオン損失）を大きく削減している。サンプル価格は1200円／個（税抜）。

RGWxx65Cシリーズは、IGBTの帰還部（還流ダイオード）に、ロームの低損失SiCショットキーバリアダイオード（SiC SBD）を採用したHybrid型のIGBTとなる。今回、普及帯の車載電装機器や産業機器に適したパフォーマンスを提供できるHybrid IGBTとして、「RGW60TS65CHR」「RGW80TS65CHR」「RGW00TS65CHR」の3製品を開発した。

Siファストリカバリダイオード（Si-FRD）を採用している従来品のIGBTよりターンオン損失を大幅に削減。車載充電器に搭載した場合には従来品のIGBTに比べて67％低損失化できる。一般的にIGBTより損失の少ないSuper Junction MOSFET（SJ-MOSFET）よりも24％低損失化できるという。変換効率も幅広い動作周波数で97％以上の高効率を確保。動作周波数100kHz時には、IGBTに比べ3％高効率化する。

RGWxx65Cシリーズは、車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠していることから、車載や産業機器といった過酷な環境下でも安心して使用できる。サンプル出荷は2021年3月より開始しており、2021年12月から当面月産2万個の体制で量産を開始する予定だ。

ローム公式サイト上では、評価／導入に必要となる駆動回路の設計手法を記載したアプリケーションノートや、SPICEモデルなどの設計データを無償で公開している。

ターンオン損失を67％削減したSiCダイオード内蔵IGBT「RGWxx65Cシリーズ」を開発　ローム