富士通セミコンダクターら3社、カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリの共同開発に合意

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富士通セミコンダクターと三重富士通セミコンダクターは、米Nanteroのカーボンナノチューブ(Carbon Nanotube)を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受け、55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意したと発表した。

炭素原子が網目状に結びつき筒状になったカーボンナノチューブを使ったNantero社のNRAMは、高密度かつ高速な不揮発性メモリとして注目されている技術だ。

3社は、組み込み型フラッシュメモリ比で数千倍の書き換え耐性/書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指ざしてNRAMの開発を進めているという。

富士通セミコンダクターではこれまで、不揮発性メモリの1つであるFRAMの設計/製造を手掛けてきており、その経験とスキルをNRAMの開発/量産化に活かす。2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し、その後、単体NRAM製品にラインナップを広げていくという。

また製造受託会社である三重富士通セミコンダクターは、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定だ。

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