タグ:不揮発性メモリ
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スパコン「Pegasus」が1W当たり41.12GFLOPSを達成し、消費電力当たりの性能ランキングで国内最高位を獲得 筑波大学
筑波大学は2023年11月14日、同大学の最新スーパーコンピュータ(スパコン)「Pegasus(ペガサス)」が、世界のスパコンランキングの一つである、消費電力当たりの性能をランキングしたGreen500リストで、国内最高…詳細を見る -
電流で反強磁性体の垂直2値状態を制御する技術を開発 東大ら
東京大学大学院理学系研究科の肥後友也特任准教授らは2022年7月21日、理化学研究所、東京大学物性研究所、東京大学先端科学技術研究センター、東京大学物性研究所、Xianzhe Chenと共同で、反強磁性体において、従来の…詳細を見る -
不揮発性メモリeMMCの性能評価サービスを開始――ストレージ業界団体の性能試験規定に準拠 OKIエンジニアリング
OKIエンジニアリングは2022年6月7日、不揮発性メモリeMMCの性能評価サービスを同月8日より開始すると発表した。 同サービスの性能評価技術は、ストレージベンダーを中心とした国際標準団体「SNIA」の不揮発性メ…詳細を見る -
高スピン流生成効率と高熱耐久性とを両立した薄膜を開発―― SOT方式の不揮発性メモリに最適 東工大とキオクシア
東京工業大学は2022年2月15日、キオクシアとの共同研究グループが、高いスピン流生成効率と高い熱耐久性とを両立するYPtBi薄膜を作製し、動作を実証したと発表した。スピン軌道トルク(SOT)方式を用いる不揮発性メモリに…詳細を見る -
産総研、不揮発性磁気メモリのためのMRAM高性能参照層を開発 スペーサー層にイリジウムを採用
産業技術総合研究所(産総研)は2017年2月27日、次世代の不揮発性メモリである磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の参照層に、イリジウムを用いたスペーサー層を用いて、大容量MRAMに求められる性能を達成したと発表した…詳細を見る -
富士通セミコンダクターら3社、カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリの共同開発に合意
富士通セミコンダクターと三重富士通セミコンダクターは、米Nanteroのカーボンナノチューブ(Carbon Nanotube)を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受け、55nmテクノロジーでの商品化に向けて…詳細を見る