タグ：窒化アルミニウム
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高速／高効率で透明なウルトラワイドバンドギャップ型次世代半導体の開発
米ミネソタ大学の研究チームが、次世代のパワーエレクトロニクスや光電子デバイスに適用できる、高速／高効率で透明な半導体材料を開発した。ウルトラワイドバンドギャップ型電子構造を持つSrSnO3の薄膜ヘテロ積層により、高い導電…詳細を見る-
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800℃を超える高温下でも利用可能な、半導体素子を開発 筑波大学
筑波大学は2023年6月30日、800℃を超える高温の環境下でも利用可能な窒化アルミニウム（AlN）半導体を開発したと発表した。地下開発のほか、鉄鋼、宇宙、航空など各産業への貢献が期待できる成果だとしている。 現在…詳細を見る-
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新方式の超小型波長変換デバイスを用いた深紫外光変換に成功――殺菌／消毒効果が高く人体に無害な波長の光源 大阪大学
大阪大学は2021年6月4日、従来とは異なる方式の窒化物半導体超小型デバイスを用いた波長変換で、深紫外光変換に成功したと発表した。 同大学によると、近年新型コロナウイルス感染症拡大などの影響によって、深紫外光による…詳細を見る-
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半導体デバイス等の放熱用に高耐湿、高熱伝導の窒化アルミニウムフィラーを開発――アンモニアの発生を1万分の1に低減 昭和電工
昭和電工は2020年7月14日、半導体デバイス等の放熱フィラー用に高耐湿で高熱伝導の窒化アルミニウムフィラーを開発したと発表した。既にサンプル提供を開始しており、2023年の量産開始を計画している。 窒化アルミニウ…詳細を見る-
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