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タグ：炭素不純物

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  • 2024-6-13
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • GaN, GaNデバイス, GaN結晶, ODPL法, 住友化学, 光計測, 全方位フォトルミネッセンス法, 原子空孔, 大阪大学, 大阪大学大学院工学研究科, 炭素, 炭素不純物, 直接遷移型半導体, 研究, 窒化ガリウム, 高純度窒化ガリウム

  高純度GaN結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表　大阪大学と住友化学

  大阪大学は2024年6月7日、同大学大学院工学研究科の研究グループが住友化学と協力し、高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表した。GaNの光りにくさを全方位フォトル…

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