タグ：GaNデバイス
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高純度GaN結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表 大阪大学と住友化学
大阪大学は2024年6月7日、同大学大学院工学研究科の研究グループが住友化学と協力し、高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表した。GaNの光りにくさを全方位フォトル…詳細を見る-
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150V耐圧のGaNデバイスにおいて業界最高の8V高ゲート耐圧技術を開発 ローム
ロームは2021年4月8日、各種電源回路向けに、150V耐圧のGaN HEMT（以下、GaNデバイス）の8V高ゲート耐圧（ゲート・ソース定格電圧）技術を開発したと発表した。この技術を用いたGaNデバイスの開発を進め、製品…詳細を見る-
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窒化ガリウムに注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化――窒化ガリウムデバイス量産化に向けて大きく前進 NIMSと富士電機
物質・材料研究機構（NIMS）は2019年5月22日、富士電機と共同で、窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功したと発表した。今回開…詳細を見る-
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