タグ：磁気ランダムアクセスメモリー
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スピン流が機械的な力を生み出すことを実証――ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 原子力機構や東北大ら
日本原子力研究開発機構は2019年6月13日、東北大学や理化学研究所（理研）、東京大学らとの研究グループが、マイクロメートルスケールの磁性絶縁片持ち梁（カンチレバー）を作製し、そこに磁気の流れである「スピン流」を注入する…詳細を見る-
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熱による高速、高効率な磁極制御に成功――MRAMやAIハードウェアの低消費電力化に期待 阪大など
大阪大学、産業技術総合研究所（産総研）、科学技術振興機構（JST）は2018年12月3日、ナノサイズの磁石の磁極の向きを熱によって高速／高効率に制御することに成功したと発表した。 情報通信機器の低消費電力化のため、…詳細を見る-
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STT－MRAMの高性能化と高歩留まりを両立させる技術を開発 東北大と東京エレクトロン
東北大学は2018年5月14日、東京エレクトロンと共同で、反応性イオンエッチングプロセスの開発によるスピントランスファートルク型磁気ランダムアクセスメモリーの高性能化と歩留まり率向上の両立に成功したと発表した。同大学によ…詳細を見る-
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