タグ：MTJ
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SRAM代替を可能にする高速、高耐熱性、データ保持特性を持つスピン軌道トルク素子（SOT）を開発 東北大
東北大学は2019年12月9日、SRAMを代替可能な高耐熱性とデータ保持特性を持つ、高速書き換えスピン軌道トルク素子（SOT）の開発と動作実証に、世界で初めて成功したと発表した。 揮発性の半導体メモリーを用いる集積…詳細を見る-
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動作周波数200MHz／平均消費電力50μW以下のスピントロニクス不揮発マイコンを実証 東北大学
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター（CSIS）と東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター（CIES）は2019年2月19日、スピン移行トルク型MTJ（磁気トンネル接合）とSi-CMOS技…詳細を見る-
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熱による高速、高効率な磁極制御に成功――MRAMやAIハードウェアの低消費電力化に期待 阪大など
大阪大学、産業技術総合研究所（産総研）、科学技術振興機構（JST）は2018年12月3日、ナノサイズの磁石の磁極の向きを熱によって高速／高効率に制御することに成功したと発表した。 情報通信機器の低消費電力化のため、…詳細を見る-
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