1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上　東芝デバイス＆ストレージ

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東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。

同MOSFETは、新材料のSiCを使用。従来のシリコンMOSFETやIGBT（絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ）と比較して、高耐圧性、高速スイッチング性能、低オン抵抗特性を持つ。これにより電力損失の低減や機器の小型化が可能になるという。

また、同社が開発したSiC SBD（ショットキーバリアダイオード）内蔵の第2世代チップデザインを採用することで信頼性を向上。低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレインソース間オン抵抗も実現しているという。同社の1200V耐圧Si IGBTの従来製品と比較して、ターンオフスッチング損失を約80％、スイッチング時間を約70％低減した。

ゲートしきい値電圧を4.2～5.8Vと高めに設定しているため誤動作が発生しにくく、順方向電圧が低いSiC SBD内蔵により電力損失を低減する。

大容量AC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなどへの活用を想定している。

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プレスリリース