絶縁ゲート型バイポーラートランジスタに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ

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  • 2020-10-20
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • IGBT, MOSFET, SiC, SiC-SBD, ショットキーバリアダイオード, シリコンカーバイド, 東芝デバイス＆ストレージ, 絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ

  1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上　東芝デバイス＆ストレージ

  東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…

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