タグ：アナログIC
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LDMOSの負入力耐性とESD耐性を両立させるセルレイアウトを開発 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージとジャパンセミコンダクターは2020年9月23日、アナログIC向けLDMOSの重要特性である負入力耐性とESD耐性を両立させる最適デザインを開発したと発表した。ESD耐性を許容できる水準を維持しつ…詳細を見る-
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NTT、241GHzの帯域を有する増幅器ICを開発――光通信に適用で1レーン当たり容量を約10倍に
NTTは2019年6月3日、241GHzの帯域を有する増幅器ICの開発に成功したと発表した。同社によると、この241GHzの帯域は世界で最も広い帯域だという。光通信への適用により、1レーン当たりの容量を約10倍に拡大する…詳細を見る-
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