タグ:ポスト5G
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世界で初めてHf系の高耐熱高誘電材料を適用したGaN-HEMを開発 住友電気工業
住友電気工業は2022年10月18日、ポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム(Hf)系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ(以下、GaN-HEM)を開発したと発表した。高…詳細を見る -
MEMS技術を用いた薄型かつ小型の電子部品を開発──旭電化研究所、アルファー精工、シナプス
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2022年2月1日、旭電化研究所、アルファー精工およびシナプスが、MEMS技術を用いた薄型かつ小型の電子部品を開発したと発表した。従来のMEMS技術はシリコンのみで利用可能…詳細を見る