タグ：電子移動度
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タングステンを添加した酸化スズが高い電子移動度を発現するメカニズムを解明 東大ら
東京大学は2021年12月28日、同大学大学院理学系研究科の研究グループが、ノルウェー科学技術大学、名古屋工業大学、筑波大学、ロンドン大学と共同で、タングステン（W）が5価の陽イオンとして酸化スズ（SnO2）結晶中のスズ…詳細を見る-
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高品質で高純度な窒化インジウム薄膜作製に成功――次世代型高周波デバイスとして期待
電子移動度が高く次世代型高周波デバイスとして期待されている窒化インジウム（InN）について、結晶性に優れた高品質高純度の薄膜を作製する新しい手法が、スウェーデンのリンショーピング大学の研究チームによって開発された。今後益…詳細を見る-
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