タグ：パルスレーザー堆積法
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1nm幅の半導体ナノ量子細線を作製する手法を発見――長さは1μm以上にも及ぶ 東大ら
東京大学は2023年5月8日、京都大学および独フランクフルト大学と共同で、グラファイト基板上に、半導体のナノ量子細線を作製する手法を発見したと発表した。 半導体ナノテクノロジーにおける微細加工技術は、すでに限界に達…詳細を見る-
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タングステンを添加した酸化スズが高い電子移動度を発現するメカニズムを解明 東大ら
東京大学は2021年12月28日、同大学大学院理学系研究科の研究グループが、ノルウェー科学技術大学、名古屋工業大学、筑波大学、ロンドン大学と共同で、タングステン（W）が5価の陽イオンとして酸化スズ（SnO2）結晶中のスズ…詳細を見る-
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深紫外線を透過する透明な薄膜トランジスタを作製――殺菌灯照射下でも動作可能な新バイオセンサーへの応用に期待 北海道大学
北海道大学は2020年6月16日、同大学電子科学研究所の太田裕道教授、ジョ・ヘジュン助教らの研究チームが、深紫外線を透過する透明な薄膜トランジスタを作製したと発表した。殺菌灯の深紫外線を照射した状態でも動作する新しいバイ…詳細を見る-
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東大と理研、トポロジカル母物質に相当するトポロジカル半金属の薄膜作製に成功
東京大学と理化学研究所は2017年12月22日、トポロジカル母物質にあたるトポロジカル半金属Cd3As2で高品質薄膜を作製し、非散逸な量子伝導を観測したと発表した。 エネルギー損失のない電子の非散逸な伝導は、低消費…詳細を見る-
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