タグ：SiO2
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独自の酸化膜形成方法でSiCパワー半導体の高品質化に成功――SiCを酸化せずに表面に良質の酸化膜を形成 京都大学ら
京都大学は2020年8月24日、東京工業大学と共同で、SiCパワー半導体を高品質化する独自のSiCの酸化膜形成方法を開発したと発表した。 現在多くの半導体パワーデバイスにはシリコン（Si）が使用されているが、電気の…詳細を見る-
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厚さわずか10原子、電子デバイス用超薄型ヒートシールドを開発
スタンフォード大学の研究チームが、数種類の2D薄膜を積層することにより、厚さわずか10原子の電子デバイス用ヒートシールドを開発した。100倍も厚いガラスシートと同程度の高い熱遮蔽効果を持つことを実証したものであり、将来的…詳細を見る-
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