タグ：パワー半導体
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理研ら、SiCパワー半導体を用いた高出力高安定化電源を開発――X線自由電子レーザーの利用拡大に貢献
理化学研究所（理研）は2018年6月16日、高輝度光科学研究センター、ニチコンと共同で、パワー半導体デバイス「SiC MOSFET」を用いた、コンパクトなパルス電源を開発したと発表した。同電源は、高出力と高い安定性を両立…詳細を見る-
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豊田合成、縦型GaNパワー半導体で大電流化と高周波動作を実現
豊田合成は2018年4月13日、大電流化と高周波動作を実現した「縦型GaNパワー半導体」を開発したと発表した。 パワー半導体は、直流と交流の変換、直流の変圧、交流の周波数変換などを行う電力変換器で幅広く使われている…詳細を見る-
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旭硝子、次世代パワー半導体材料のノベルクリスタルテクノロジーに出資――酸化ガリウムウェハーを共同開発
旭硝子は2018年3月22日、次世代パワー半導体材料開発会社のノベルクリスタルテクノロジーへの出資を決定したと発表した。次世代パワー半導体に使用する酸化ガリウムウェハーの共同開発を両社で進め、2020年の実用化を目指すと…詳細を見る-
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富士電機、パワエレ機器の省エネに寄与する「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発
富士電機は2017年6月26日、世界最高レベルの低抵抗を実現し、パワエレ機器の省エネに寄与するパワー半導体「トレンチゲート構造SiC-MOSFET」を開発したと発表した。2017年度中を目途に、SiC-MOSFETとSi…詳細を見る-
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安川電機、世界初となるGaNパワー半導体搭載のアンプ内蔵サーボモーターを販売開始
安川電機は2017年5月23日、ACサーボドライブ「Σ-7」シリーズの新製品として、世界初となるGaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7Fモデル」を発売した。 高放熱構造を採用するなどしてアンプ…詳細を見る-
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富士経済、次世代・次々世代パワー半導体の世界市場の調査結果を発表
富士経済は、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といった次世代パワー半導体や、これらに続く「次々世代」の酸化ガリウム系、ダイヤモンド系パワー半導体の世界市場を調査し、その結果を報告書「2017年版 次世代パワーデ…詳細を見る-
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