タグ：パワー半導体
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NMPフリー技術を取り入れた、新たな感光性ポリイミドコーティング剤の販売を開始 東レ
東レは2022年12月14日、環境への負荷を低減できるポリイミドのNMP（N－メチルピロリドン）フリー技術を取り入れた新たな感光性ポリイミドコーティング剤「PHOTONEECE（フォトニース）」を開発し、量産体制を整え、…詳細を見る -
パワー半導体向けSiCウエハーの加工ひずみ検査技術を開発――レーザー散乱光応用技術を適応 豊田通商ら
豊田通商は2022年9月9日、関西学院大学および山梨技術工房と共同で、パワー半導体材料の炭化ケイ素（SiC）ウエハー製造プロセスで生じる、結晶のひずみを検査する技術を開発したと発表した。 現在主流のパワー半導体材料…詳細を見る -
xEV向けインバータ用パワー半導体として新世代Si IGBTを開発 ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは2022年8月30日、電動車（xEV）向けのインバータ用パワー半導体として、新世代のシリコン（Si） 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）を開発したと発表した。ラインアップは400V…詳細を見る -
パワー半導体向け無酸素銅条の板厚変動を2分の1に低減 古河電気工業
古河電気工業は2022年6月22日、パワー半導体向け無酸素銅条「GOFC」の製造において、板厚（0.25～2.0mmに対応）の変動を従来比2分の1に低減したと発表した。結晶粒径を小さく抑えられる耐熱性とともに、パワー半導…詳細を見る -
ダブルゲート構造を採用し、スイッチング損失を低減する逆導通型IEGTを開発 東芝デバイス＆ストレージ、東芝
東芝デバイス＆ストレージと東芝は2022年6月15日、電力の制御等に用いられるパワー半導体にて、世界で初めてダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の逆導通型IEGTを開発したと発表した。電力のオンとオフが切り替わるスイ…詳細を見る -
SiCの高効率な研磨技術を開発――薬液を用いずに水と研磨材粒子のみで高効率に研磨 立命館大学
立命館大学は2021年11月30日、同大学の研究グループが、パワー半導体材料として用いられるSiC（炭化ケイ素）の高効率な研磨技術を開発したと発表した。 SiCは、低損失で高耐圧といったメリットを有するワイドギャッ…詳細を見る -
パワー半導体と駆動ICを一括検証できるシミュレーションツールに熱解析機能を追加 ローム
ロームは2021年11月4日、パワーデバイス（パワー半導体）と駆動ICなどをソリューション回路上で一括検証できるWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」に熱解析機能を追加し、公式We…詳細を見る -
LV100タイプを採用した産業用IGBTモジュールを発売――再エネ電源用インバーターやモータードライブ装置の小型化に寄与 三菱電機
三菱電機は2020年8月25日、パワー半導体の新製品として「IGBTモジュール Tシリーズ 産業用LV100タイプ」5品種を発表した。同年9月より順次販売を開始する。 今回パッケージに採用されたLV100タイプは、…詳細を見る -
独自の酸化膜形成方法でSiCパワー半導体の高品質化に成功――SiCを酸化せずに表面に良質の酸化膜を形成 京都大学ら
京都大学は2020年8月24日、東京工業大学と共同で、SiCパワー半導体を高品質化する独自のSiCの酸化膜形成方法を開発したと発表した。 現在多くの半導体パワーデバイスにはシリコン（Si）が使用されているが、電気の…詳細を見る -
低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETを開発――車載主機インバータシステムの小型化／高効率化に貢献 ローム
ロームは2020年6月17日、低オン抵抗の「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。既存市場に加え、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源への採用を加速させ、さら…詳細を見る
