タグ：産業技術総合研究所
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産総研、低コストでガリウムヒ素太陽電池を製造できるHVPE装置を開発
産業技術総合研究所（産総研）は2017年6月13日、大陽日酸、東京農工大学と共同で、低コストでガリウムヒ素（GaAs）太陽電池を製造できるハイドライド気相成長（HVPE）装置を開発したことを発表した。 太陽電池で現…詳細を見る-
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産総研、高い電磁波遮蔽能を持つ水性塗料を開発 カーボンナノチューブを用いる
産業技術総合研究所（産総研）は2017年6月12日、スーパーグロース法で作製した単層カーボンナノチューブ（SGCNT）を用いて、高い電磁波遮蔽能を持つ膜を形成する塗料を開発したと発表した。同研究所のナノチューブ実用化研究…詳細を見る-
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産総研、カーボンナノチューブを用いて高温でも形状を維持できるOリングを開発
産業技術総合研究所（産総研）は2017年6月8日、カーボンナノチューブを用いて、高温／高圧耐性に優れ、しかも高温でも形状を維持できるOリングを開発したと発表した。 今回開発したOリングは、スーパーグロース法を用いて…詳細を見る-
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銀ではなく銅インクで――産総研、銅インク印刷技術を改良してラジオ内蔵野球帽を試作
産業技術総合研究所（産総研）は2017年6月2日、銅インクを用いて配線したフレキシブルなラジオをツバの部分に組み込んだ野球帽を試作したと発表した。 近年、低コスト・省資源で電子デバイスを製造できるプリンテッド・エレ…詳細を見る-
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産総研、浮遊部を持つ微小構造を形成できる印刷技術を開発
産業技術総合研究所（産総研）は2017年6月1日、カンチレバーやブリッジなどの浮遊部を持つ微小構造を、高効率・低コストで製造できる技術を開発したと発表した。従来比で製造にかかる時間を約80％削減し、省エネルギーかつ低コス…詳細を見る-
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産総研、不揮発性磁気メモリーMRAMのための3次元積層プロセスを開発
産業技術総合研究所（産総研）の研究グループは、内閣府が主導する革新的研究開発推進プログラムの研究の一環として、次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリー（MRAM）の3次元積層プロセス技術を開発した。産総…詳細を見る-
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産総研と九大、次世代有機EL用発光材料の発光メカニズムの詳細を解明
産業技術総合研究所（産総研）と九州大学は2017年5月11日、熱活性化遅延蛍光（TADF）を出す分子（TADF分子）の発光メカニズムを解明したと発表した。TADFは次世代型の有機EL素子用の発光材料として注目されており、…詳細を見る-
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低コストの高温超電導線材を用い、磁場中臨界電流密度の世界記録を達成
昭和電線ケーブルシステムと産業技術総合研究所（産総研）と成蹊大学は2017年4月14日、超電導層の形成プロセスを改良した高温超電導体のイットリウム系酸化物超電導線材を用いて、世界最高となる1平方cm当たり400万Aという…詳細を見る-
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産総研、世界最高レベルの出力因子を持つ有機系熱電変換材料を開発
産業技術総合研究所（産総研）は2017年3月14日、発電性能を示す出力因子が600μW／mK²を超え、しかも印刷によって形成できる、高性能なp型の有機系熱電変換材料を開発したと発表した。この発電性能は世界最高レベルだとい…詳細を見る-
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NEC、優れた放射線耐性を持つFPGAを開発 宇宙環境での利用を想定
NECは2017年3月7日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、宇宙空間での利用を想定した優れた放射線耐性を持つFPGA「NB-FPGA」を開発したと発表した。 NB-FPGAは、NEC独自の金属原子移動型スイッ…詳細を見る-
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