タグ：窒化ガリウムトランジスタ
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GaN-HEMTを2インチの多結晶ダイヤモンド基板上に作製 住友電気工業と大阪公立大学
住友電気工業は2025年3月11日、大阪公立大学とともに、科学技術振興機構（JST）の共同研究プロジェクトにて、2インチの多結晶ダイヤモンド（PCD）基板上で窒化ガリウムトランジスタ（GaN-HEMT）を作製したと発表し…詳細を見る-
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放熱性が汎用品の2倍以上となる窒化ガリウムトランジスタを開発 東北大など研究グループ
大阪公立大学と東北大学は2023年12月1日、両大学などの研究グループがダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム（GaN）トランジスタを作製し、炭化ケイ素（SiC）基板上に作製した同一形状のトランジスタに比べて、放熱性を2…詳細を見る-
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世界で初めてHf系の高耐熱高誘電材料を適用したGaN-HEMを開発 住友電気工業
住友電気工業は2022年10月18日、ポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ（以下、GaN-HEM）を開発したと発表した。高…詳細を見る-
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富士通、窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功――気象レーダーの観測範囲を約2.3倍拡大可能
富士通は2018年8月10日、従来比3倍となる窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功したと発表した。同技術を気象レーダーなどに適用することで、観測範囲を約2.3倍に拡大できるという。 窒化ガリウム（GaN）高電子…詳細を見る-
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NIMS、窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な未知の結晶層を発見
物質・材料研究機構（NIMS）を中心とする研究チームは2017年10月23日、窒化ガリウム（GaN）を用いたトランジスタにおいて、GaN結晶と絶縁膜との界面に、これまで知られていなかった原子レベルで平坦な準安定酸化ガリウ…詳細を見る-
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