タグ：スピントロニクス
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磁性半導体における、異常ホール効果値の磁化に比例しない振る舞いを発見 理研と東大
理化学研究所（理研）は2018年7月21日、東京大学と共同で、「磁性半導体」であるチタン酸ユーロピウム（EuTiO3）の高品質単結晶薄膜を作製し、通常は磁化に比例する異常ホール効果の値が、磁化に伴ってさまざまな値をとるこ…詳細を見る-
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JSTと東北大、スピン流スイッチの動作原理を発見――エレクトロニクスの次、高速・省電力デバイス開発のカギとなる「スピントロニクス」発展の一助に
科学技術振興機構（JST）と東北大学は2018年5月29日、スピン流の流れやすさを制御するスピン流スイッチの原理を発見・実証したと発表した。 高速な不揮発メモリーや超高密度なハードディスクなど、次世代情報処理技術「…詳細を見る-
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磁性絶縁体を用いて、グラフェンの電子スピンの向きを制御する新技術を開発――スピントランジスタの実現に向け前進
量子科学技術研究開発機構、物質・材料研究機構（NIMS）、筑波大学、慶應義塾大学らの研究グループは2018年4月4日、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現に不可欠な、電子スピンの向きを制御する新技術を開発したと…詳細を見る-
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京大ら、白金の電界効果の微視的メカニズムを解明――超低消費電力磁気メモリ開発にも応用可能か
京都大学、東京大学、三重大学、電力中央研究所の研究グループは2018年4月3日、スピントロニクス材料として有用な白金（Pt）に電界を加えてその磁性を制御する実験を行い、Ptにおける電界効果のミクロなメカニズムを解明したと…詳細を見る-
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慶應大、有機分子で電子のスピンを制御――変換効率の向上が可能に
慶應義塾大学は2018年3月27日、金属をベースとしたスピントロニクス素子の機能を、有機分子により制御する新原理を明らかにしたと発表した。 スピントロニクス技術は電子の電気的性質（電荷）の流れである電流に加え、電子…詳細を見る-
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ひずみ方向を検出する「フレキシブルスピンデバイス」を東大が開発、動作実証に成功
東京大学は2018年2月9日、ひずみ方向を検出する「フレキシブルスピンデバイス」の動作実証に成功したと発表した。 ひずみセンサは、電気抵抗が長さに比例し、断面積に反比例する仕組みを用いてひずみの大きさを検出する。そ…詳細を見る-
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東大、超高速メモリーへ応用可能な光誘起マルチフェロイクス状態の発現に成功
東京大学は2018年1月30日、強磁性と強誘電性が共存するマルチフェロイクス状態を、超短パルスレーザー照射によって、1兆分の1秒以下の非常に短時間で発現させることに成功したと発表した。 物質内部のミクロな磁石の方向…詳細を見る-
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東北大、光で電子スピンの方向を変えて磁石の性質を消失させる原理を解明
東北大学は2017年11月14日、磁石に光をあてることで、電子スピンの配列を反平行に変え磁石の性質を消失させる原理を解明したと発表した。 磁石は電子スピンが同方向に配列することでその性質が現れる。電子スピンをエレク…詳細を見る-
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東京理科大と岡山大、単体半導体テルルに電流を流すと磁石になることを発見
東京理科大学と岡山大学の研究グループは2017年10月16日、単体元素テルル半導体に直流電流を流すと、非磁性体であるテルルが磁化することを発見したと発表した。 物質の磁気的性質を電気的に制御する電気磁気効果が、スピ…詳細を見る-
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NIMS、サブナノスケールで磁気構造を可視化する電子顕微鏡技術を開発
物質・材料研究機構（NIMS）は2017年10月12日、nm（ナノメートル）以下のスケールで物質の磁気構造を観察できる「高分解能ローレンツ顕微鏡法」を確立したと発表した。今回の研究成果が、次世代スピントロニクスデバイスの…詳細を見る-
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