タグ：窒化ガリウム
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窒化ガリウムに注入した微量元素の分布と電気的状態をナノスケールで可視化――窒化ガリウムデバイス量産化に向けて大きく前進 NIMSと富士電機
物質・材料研究機構（NIMS）は2019年5月22日、富士電機と共同で、窒化ガリウム（GaN）に注入した微量なマグネシウム（Mg）の分布や電気的状態を、ナノスケールで可視化することに世界で初めて成功したと発表した。今回開…詳細を見る-
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KEKとJFCC、GaN結晶の欠陥を短時間かつ非破壊で検出する方法を確立――青色LEDなどの高品質化を加速
高エネルギー加速器研究機構（KEK）は2018年7月9日、ファインセラミックスセンター（JFCC）と共同で、窒化ガリウム（GaN）結晶中のさまざまな欠陥をごく短い時間で非破壊で検出する方法を確立したと発表した。 G…詳細を見る-
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名大、GaNパワーデバイスの要素技術を開発――GaN基板上のGaNデバイスの基礎技術を構築
名古屋大学は2018年5月17日、縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの溝（トレンチ）加工技術、およびGaNパワーデバイス用の高性能ゲート絶縁膜を開発したと発表した。 GaNパワーデバイスは、従来のシリコンに比…詳細を見る-
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豊田合成、縦型GaNパワー半導体で大電流化と高周波動作を実現
豊田合成は2018年4月13日、大電流化と高周波動作を実現した「縦型GaNパワー半導体」を開発したと発表した。 パワー半導体は、直流と交流の変換、直流の変圧、交流の周波数変換などを行う電力変換器で幅広く使われている…詳細を見る-
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東芝、GaN-MOSFETの信頼性を向上するゲート絶縁膜プロセス技術を開発
東芝は2017年12月7日、次世代の半導体パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス向けに、ゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。これにより閾値電圧変動などの特性変動を大幅に低減でき、この…詳細を見る-
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