タグ：MOSFET
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SiC MOSFETの信頼性を10倍向上させるデバイス構造を開発――MOSFETの内部にSBDを搭載 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したと発表した。MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造が特徴で、オン抵抗の上昇を…詳細を見る-
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産総研などが開発のトレンチゲート型SJ-MOSFET、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成――EVの電力変換システムなどで利用へ
産業技術総合研究所（産総研）は2018年12月4日、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧クラスのトレンチゲート型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発したと発表した。富士電機、住友電気工業、トヨタ…詳細を見る-
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京大ら、新規半導体「コランダム構造酸化ガリウム」を用いて、ノーマリーオフ型MOSFETの動作実証に世界で初めて成功
京都大学は2018年8月9日、同大学の研究グループが京大発のベンチャー企業であるFLOSFIAと共同で、新規材料によるパワーデバイスとして、コランダム構造（α構造）の酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた絶縁効果型トランジス…詳細を見る-
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東芝、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETゲートドライバIPDの新製品を発売――実装面積を従来の1/4に削減
東芝デバイス＆ストレージは2018年7月24日、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETのゲートドライバIPD（インテリジェントパワーデバイス）「TPD7212F」 を製品化し、8月から量産、出荷を開始すると発表し…詳細を見る-
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産総研など、1200V耐圧クラスでも高性能を示すSBD内蔵SiCトランジスタを開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、富士電機と共同で1200Vクラスでも高効率と高信頼性を両立するショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiCトランジスタを開発したと発表した。 電力の変換や制御を担うパ…詳細を見る-
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NIMS、窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な未知の結晶層を発見
物質・材料研究機構（NIMS）を中心とする研究チームは2017年10月23日、窒化ガリウム（GaN）を用いたトランジスタにおいて、GaN結晶と絶縁膜との界面に、これまで知られていなかった原子レベルで平坦な準安定酸化ガリウ…詳細を見る-
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米Diodes、車載用モーター向け40V耐圧パワーMOSFETの新製品
米Diodesは2016年3月10日、車載用モーターに対応した40V耐圧パワーMOSFETの新製品「DMTH4004SPSQ」と「DMTH4005SPSQ」を発表した。 DMTH4004SPSQは、ウォーターポンプ…詳細を見る-
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米アルファ＆オメガ社、CPUコアのVcore電源向けデュアルパワーMOSFET発売
米Alpha and Omega Semiconductorは2015年12月17日、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチ向けのパワーMOSFETを1つのパッケージに収めた、CPUコアのVcore電源向けデュアルパワー…詳細を見る-
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