カテゴリー：電気・電子系
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JST、パイクリスタル、オルガノサーキット、印刷できる有機半導体を用いてLEDディスプレイの低消費電力アクティブ駆動に成功
科学技術振興機構（JST）、パイクリスタル、オルガノサーキットは2017年12月8日、印刷できる有機半導体を用いてLEDディスプレイの低消費電力アクティブ駆動に成功したと発表した。垂れ幕など、軽量で吊り下げ可能な大型動画…詳細を見る-
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理研・東大・東工大など、遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるトポロジカルな電子状態の発現原理を発見
理化学研究所、東京大学、東京工業大学、セント・アンドルーズ大学は2017年12月8日、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）でトポロジカルな電子状態やディラック電子状態が発現する一般的な原理を発見したと発表した。 ト…詳細を見る-
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東芝、GaN-MOSFETの信頼性を向上するゲート絶縁膜プロセス技術を開発
東芝は2017年12月7日、次世代の半導体パワーデバイスとして期待される窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス向けに、ゲート絶縁膜プロセス技術を開発したと発表した。これにより閾値電圧変動などの特性変動を大幅に低減でき、この…詳細を見る-
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日本TI、システムの消費電力を低減するナノパワー・オペアンプ新製品「LPV821」を発表
日本テキサス・インスツルメンツは2017年12月7日、新製品のナノパワー・ゼロドリフト・オペアンプ「LPV821」を発表した。業界初の超高精度、最小の消費電力をうたっており、IoT、産業用エレクトロニクスなどの高精度アプ…詳細を見る-
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産総研など、1200V耐圧クラスでも高性能を示すSBD内蔵SiCトランジスタを開発
産業技術総合研究所は2017年12月5日、富士電機と共同で1200Vクラスでも高効率と高信頼性を両立するショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵のSiCトランジスタを開発したと発表した。 電力の変換や制御を担うパ…詳細を見る-
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三菱電機と東大、SiCパワー半導体素子の3種類の抵抗要因の影響度を解明
三菱電機は2017年12月5日、東京大学と共同でパワー半導体モジュールに搭載するSiC（炭化ケイ素）パワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する、電子散乱を起こす3種類の要因のそれぞれの影響度を解明したと発表した。同社による…詳細を見る-
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東大など、極めて小さな消費電力で動作する新構造トランジスターの開発に成功
東京大学と科学技術振興機構（JST）は2017年12月4日、同大学の高木信一教授らの研究グループが、JST戦略的創造研究推進事業において、極めて小さな電圧制御で動作が可能な量子トンネル電界効果トランジスターを開発したと発…詳細を見る-
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九大、マイクロ波を用いたワイヤレスかつ選択的なスピン流生成技術を開発
九州大学は2017年12月1日、マイクロ波を用いてワイヤレスで選択的にスピン流を生成する技術を開発したと発表した。 電子は、スピンと呼ばれる物理量を持ち、電子が流れると、電流と同時にスピン流が流れる。スピン流は、情…詳細を見る-
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京大ら、電子が凍るモット絶縁体を「溶かす」新しい方法を発見――電流を流すだけで電気的・磁気的性質が大きく変化
京都大学は2017年11月30日、同大学の米澤進吾理学研究科助教らによる研究グループが、ルテニウム酸化物のモット絶縁体に電流を流すことで、磁場をはねのける巨大反磁性が現れることを発見したと発表した。 電子技術の基本…詳細を見る-
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英エクセター大、光パルスで超高速演算するナノスケールの「光学式そろばん」を開発
英エクセター大学のC. David Wright教授を含む国際研究チームが、光パルスを使用して演算するナノスケールの光学式デバイスを考案した。電子よりも高速な光パルスを使って演算すると同時に、従来の「そろばん」のように結…詳細を見る-
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