カテゴリー：電気・電子系
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米州立大、SiCパワーデバイスのコストを大きく削減する製造技術を開発
ノースカロライナ州立大学の研究チームは、SiC（Silicon Carbide：炭化ケイ素）パワーデバイスを製造する新しいプロセスとチップデザインを開発した。「PRESiCE」と命名されたこの製造プロセスにより、多くの企…詳細を見る-
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東大と東北大、グラフェンとSiCの界面に潜む低エネルギーのフォノンを発見
東北大学と東京大学などは2017年10月19日、シリコンカーバイド（SiC）上に結晶成長させたエピタキシャルグラフェンにおいて、SiC基板とグラフェンの界面に潜む低エネルギーフォノンの存在を明らかにしたと発表した。今回の…詳細を見る-
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東京理科大と岡山大、単体半導体テルルに電流を流すと磁石になることを発見
東京理科大学と岡山大学の研究グループは2017年10月16日、単体元素テルル半導体に直流電流を流すと、非磁性体であるテルルが磁化することを発見したと発表した。 物質の磁気的性質を電気的に制御する電気磁気効果が、スピ…詳細を見る-
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東大と広島大、キャリア数がグラフェンの100倍以上の単原子導電性シートを発見
東京大学物性研究所の松田巌准教授や広島大学のBaojie Feng助教らによる研究グループは2017年10月18日、銅（Cu）とケイ素（Si）からなる化合物の単原子シート、銅シリサイド（Cu2Si）を合成し、その中に「デ…詳細を見る-
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東北大と東工大、高い電荷注入効率を持つ有機半導体用電極を開発
東北大は2017年10月17日、東京工業大学と共同で、高い電荷注入効率を持ちしかも空気中で安定な新しい有機半導体用電極を開発したと発表した。 従来のシリコンなどを用いた無機半導体と比較して、有機半導体は柔軟で軽量、…詳細を見る-
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日立金属、高熱伝導率のパワーモジュール用窒化ケイ素基板を開発
日立金属は2017年10月13日、パワーモジュール用の高熱伝導窒化ケイ素（Si3N4）基板を開発したと発表した。2019年の量産を予定している。 パワーモジュールは、高い効率で電力の変換と制御を行うパワー半導体をパ…詳細を見る-
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ミネベアミツミ、従来比で500％以上も感度を向上した「フィルム型高感度ひずみゲージ」を開発
ミネベアミツミは2017年10月12日、「フィルム型高感度ひずみゲージ」を開発したと発表した。材料となる金属抵抗体材料に独自の製作方法を適用し、従来比500％以上の高感度化、約1/10以下の小型化を達成した。 ひず…詳細を見る-
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NIMS、サブナノスケールで磁気構造を可視化する電子顕微鏡技術を開発
物質・材料研究機構（NIMS）は2017年10月12日、nm（ナノメートル）以下のスケールで物質の磁気構造を観察できる「高分解能ローレンツ顕微鏡法」を確立したと発表した。今回の研究成果が、次世代スピントロニクスデバイスの…詳細を見る-
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宇宙放射線計測で世界のトップに立ちたい——宇宙航空研究開発機構 永松愛子氏
1969年、アポロ11号によって人類は初めて地球以外の天体に立った。それから約50年経った今、民間人が宇宙で居住可能になるという夢の「宇宙ホテル」も実現が視野に入ってきた。 しかしインフラの整備を進めるだけでは不十…詳細を見る-
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サムスンSDI、モジュール数で航続可能距離を調整できる電気自動車用電池パックを発表
サムスンSDIが2017年9月12日、「フランクフルト国際モーターショー（Internationale Automobil-Ausstellung：IAA）」において、モジュール数を変更することで航続可能距離を自由に設定…詳細を見る-
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