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発光特性に優れたカドミウムフリー量子ドット蛍光体を開発 大阪大と名古屋大
大阪大学は2018年8月24日、名古屋大学と共同で、カドミウムを含まずかつ単色性に優れた量子ドット蛍光体の合成に成功したと発表した。 量子ドット蛍光体は、発光時の単色性が高いために色鮮やかさなどを重視する高価格帯液…詳細を見る -
NIMSら、ビーカーを使ったカーボンナノシートの簡易な合成に成功
物質・材料研究機構(NIMS)は2018年7月6日、名古屋大学、東京大学と共同で、カーボンナノリングからカーボンナノシートを、簡易に合成する手法を開発したと発表した。 カーボンナノシートは、高い導電性や触媒機能も持…詳細を見る -
名大、低温度差スターリングエンジンの回転メカニズムを解明――わずかな温度差を回転運動として利用
名古屋大学は2018年6月7日、低温度差スターリングエンジンを非線形力学系としてモデル化し、その回転メカニズムを理論的に説明したと発表した。 身の回りの熱エネルギーを利用する技術は、持続可能社会の基盤として、今後重…詳細を見る -
非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出――産総研と名古屋大が技術開発
産業技術総合研究所は2018年5月22日、名古屋大学と共同で、ラマンマッピング像から窒化ガリウム(GaN)半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発したと発表した。欠陥の分布や方向を非破壊で特定することができ、GaN半導体単結…詳細を見る -
半導体結晶が光のない環境で壊れにくくなる現象を発見――製造・加工技術の革新に期待 名古屋大
名古屋大学は2018年5月18日、従来常温下では可塑性が小さいために脆く壊れやすいと考えられてきた半導体結晶が、光のない環境で大きな可塑性を示して壊れにくくなる現象を発見、同時にそのメカニズムも解明したことを発表した。 …詳細を見る -
名大、GaNパワーデバイスの要素技術を開発――GaN基板上のGaNデバイスの基礎技術を構築
名古屋大学は2018年5月17日、縦型窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの溝(トレンチ)加工技術、およびGaNパワーデバイス用の高性能ゲート絶縁膜を開発したと発表した。 GaNパワーデバイスは、従来のシリコンに比…詳細を見る -
JSTら、「弱い」量子コンピューターの古典コンピューターに対する優位性を証明
科学技術振興機構(JST)は2018年5月18日、京都大学、東京大学、名古屋大学、NTTと共同で、1量子ビットしか使えないような「弱い」量子コンピューターでも、ある場面では古典コンピューターより高速であることを理論的に証…詳細を見る -
阪大ら、パルス中性子ビームにより原子サイズでの未知の力を検証
大阪大学は2018年3月23日、九州大学、高エネルギー加速器研究機構、名古屋大学、インディアナ大学と共同で、大強度陽子加速器施設(J-PARC)のパルス中性子源を用いて、原子の大きさ程度の距離に働く未知の力の探索を行った…詳細を見る -
持ち運びできる微生物センサーを名大などが開発――屋外での微生物計測が可能に
名古屋大学、大阪大学、九州大学および科学技術振興機構(JST)の研究グループは2018年3月7日、従来の技術では困難であった持ち運び可能な微生物センサーを開発したと発表した。屋外での微生物計測を可能にするもので、内閣府の…詳細を見る -
名古屋大学、有機塩触媒によるエステルの実用的合成法を開発
名古屋大学は2018年2月27日、金属を含まない有機塩触媒によるカルボン酸エステルの効率的合成法を開発したと発表した。これまで触媒的な合成が困難だった高極性な糖類のエステルなどを効率的に高純度で製造できるようになり、医薬…詳細を見る