タグ：SiC
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超ワイドバンドギャップを持つ酸化ガリウムの可能性――大電力高温用半導体への応用も
酸化ガリウムで次世代パワー半導体超えのバンドギャップへ アメリカのフロリダ大学および海軍研究所、韓国の高麗大学の共同研究チームが、超ワイドバンドギャップを持つ半導体、酸化ガリウム（Ga2O3）の将来的な可能性について、…詳細を見る-
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産総研などが開発のトレンチゲート型SJ-MOSFET、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成――EVの電力変換システムなどで利用へ
産業技術総合研究所（産総研）は2018年12月4日、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1.2kV耐電圧クラスのトレンチゲート型スーパージャンクション（SJ）MOSFETを開発したと発表した。富士電機、住友電気工業、トヨタ…詳細を見る-
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パナソニック、PCIM 2016でGaN／SiCパワーデバイス関連製品の出展を予定
パナソニックは2016年4月14日、5月10日～12日までドイツのニュルンベルクで開催予定のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2016」に、GaN／SiCパワーデバイス関連製品を出展すると発表した。 GaNは…詳細を見る-
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