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産総研などが開発のトレンチゲート型SJ-MOSFET、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成――EVの電力変換システムなどで利用へ
産業技術総合研究所(産総研)は2018年12月4日、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2kV耐電圧クラスのトレンチゲート型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発したと発表した。富士電機、住友電気工業、トヨタ…詳細を見る -
パナソニック、PCIM 2016でGaN/SiCパワーデバイス関連製品の出展を予定
パナソニックは2016年4月14日、5月10日~12日までドイツのニュルンベルクで開催予定のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM 2016」に、GaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展すると発表した。 GaNは…詳細を見る