タグ：SiC
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小型／軽量で急速充電と複数台充電を切り替え可能なマルチポートEV充電技術を開発 日立製作所
日立製作所は2021年8月25日、EVの普及に不可欠なEV充電インフラの小型／軽量化と、急速充電と複数台充電を切り替えできるマルチポートEV充電技術を開発したと発表した。EV充電設備の設置面積を40％、重量を70％削減し…詳細を見る-
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世界最小サイズのSiCショットキーバリアダイオードのサンプル提供を開始――低損失で高速なスイッチング動作に対応 新日本無線
新日本無線は2021年3月31日、世界最小サイズと高放熱を両立した650V／10Aのシリコンカーバイド・ショットキーバリアダイオード 「NJDCD010A065AA3PS」のサンプル提供を開始したと発表した。量産は202…詳細を見る-
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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パワーデバイス材料SiCの電気特性を高分解能で測定する装置を開発 名工大
名古屋工業大学は2020年9月9日、富士電機、電力中央研究所、昭和電工、産業技術総合研究所と共同で、3ミクロンの空間分解能でSiC中の電気特性の微細な分布を測定する技術を確立し、設計通りにSiCパワーデバイス内部の構造が…詳細を見る-
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独自の酸化膜形成方法でSiCパワー半導体の高品質化に成功――SiCを酸化せずに表面に良質の酸化膜を形成 京都大学ら
京都大学は2020年8月24日、東京工業大学と共同で、SiCパワー半導体を高品質化する独自のSiCの酸化膜形成方法を開発したと発表した。 現在多くの半導体パワーデバイスにはシリコン（Si）が使用されているが、電気の…詳細を見る-
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SiC MOSFETの信頼性を10倍向上させるデバイス構造を開発――MOSFETの内部にSBDを搭載 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年7月30日、SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発したと発表した。MOSFETの内部にショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載した構造が特徴で、オン抵抗の上昇を…詳細を見る-
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インバータ2機とPDUを統合、800Vシステム対応の次世代SiCインバータのプロトタイプ完成 GLM
GLMは2020年7月9日、SiCパワーモジュールを搭載した「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」のプロトタイプが完成したと発表した。 800Vシステム対応次世代SiCインバータは、2020年2月にロームと…詳細を見る-
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SiC結晶表面への電流の流れを数値化することに成功――SiCパワーデバイスの低価格化への寄与に期待 名古屋工業大学
名古屋工業大学は2020年5月19日、同大学大学院工学研究科の加藤正史准教授の研究グループが、さまざまな温度や表面の状態において、SiC結晶の表面への電流の流れを数値化することに成功したと発表した。SiCパワーデバイスの…詳細を見る-
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パワーエレクトロニクス機器を小型化する部品内蔵型集積化技術を開発――高電力密度化が可能に 三菱電機
三菱電機は2020年03月25日、パワー半導体素子、コンデンサ、電流センサなどの部品を同一基板に内蔵する部品集積化技術を開発したと発表した。従来比約8倍となる世界最高電力密度136kW/Lの電力変換器により、パワーエレク…詳細を見る-
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次世代パワーデバイス向けに銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発 大陽日酸
大陽日酸は2020年1月28日、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発したと発表した。SiCやGaNといった次世代パワーデバイスの接合材での用途を見込む。 同社は、粒子径100nm程度で表面が数nm程度の亜酸化層…詳細を見る-
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